除高功率LD列阵之外，还有其他的LD列阵器件。如在同一个外延片上制作若干个分布反馈(DFB)激光器，每一个DFB激光器的光谱宽度为0.3埃，有意将光栅周期做成不一样，使相邻激光器的波长差为20.5埃。然后再将它们耦合到一个波导中，便可构成频分复用光源。也可用In-GaAsP衬底上制作周期相同的光栅，使每个长波长LD的发射波长相同。这样的器件可用于普通的光纤通主系统，其中一只器件工作，其余备用。用光刻等技术来制作可分别取址的两维表面发射半导体激光器列阵，可用于光计算、光泵浦源等；用不同周期的光纤光栅构成的外腔激光器可作为WDM光源等。
(七)表面发射半导体激光器
以上所介绍的LD都是从解理面发射激光的，可以统称这些LD为边发射LD。在半导体激光器中，边发射LD占绝对优势。但是，这种LD的发散角较大(特别是在垂直于pn结的方向上)，器件集成的密度较低，功率也不够大。
可以让激光从垂直于pn结方向上输出，这类LD统称为表面发射LD。其主要特点是：(a)能构成两维光源，输出光功率高，发散角小；(b)在两维光源中，每个激光器都可单独地随机驱动，可通过光学场相互耦合；(c)可位于半导体表面的任何部位，容易同光电集成回路、其他光波导器件耦合等。预计它可在固体激光器的泵浦、计算机或电子回路之间提供光互连、卫星通信、激光加工等领域获得广泛应用。
表面发射LD有水平腔型和垂直腔型两种类型，水平腔型又有光栅型、45°角型等结构。光栅型表面发射LD(GSE)与DFB激光器、DBR激光器的结构类似，pn结位于水平方向，一级或二级光栅为激光振荡提供光反馈，一部分光从光栅表面垂直输出，还有一部分光从光栅的另一段输出，与另一个CSE耦合，从而可产生相干的两维发射光源，激光功率可高达数瓦，且具有较小的发散角。光栅型表面发射LD的体积同普通的边发射激光器类似，但比垂直腔表面发射LD大得多，光电转换效率也比垂直腔表面发射LD大得多。
GSE列阵具有公共的、不受破坏的量子阱波导，使激光器和其他波导之间的耦合大为简化。45°角型表面发射LD与光栅型表面发射LD的结构基本类似，pn结位于水平方向，在腔的两端，用反应离子蚀刻等技术制作45°角，让光从垂直于表面的方向上发射出来。45°角的制备技术要求较高，稍有偏离，光就会偏离与表面垂直的方向。此外，45°角区的光损耗也较大，使激光器效率下降。45°角型表面发射LD的体积同普通的边发射LD类似，但同垂直腔表面发射LD相比，它仍然具有效率高，输出功率大等优点。最近，人们还采用45°角棱镜，将几只波长不同的LD的输出光垂直地与光纤耦合，构成多波长LD。
共振腔与pn结垂直的表面发射LD，称为垂直腔表面发射半导体激光器(VCSEL)，是微型激光器的一个类型。这种激光器极小，腔长约为5微米，其中增益区长仅为24纳米，其余部分为由多层反射膜构成的光反馈区。激光器发光面积约为1.5微米，整个激光器的激活体积比普通的双异质结激光器小一个微量级，约为0.05微米3。阈值电流预计可小至10微安，纵模间隔很大，达100纳米量级，因此呈单纵模运转，无跳模现象。光谱线宽较窄，GaAs VCSEL的输出线宽仅为50MHz。可在高频工作，在正弦调制时，3分贝带宽已达8GHz。这种激光器可以非常高的器件密度构成两维发射光源，已实现的器件密度为2×106个／厘米2。这些器件可以分别取址，可构成空间不相干但时间相干的两维发射光源。输出功率较大，而且输出的光束无象散、可形成圆形光斑。
最近，有关高功率、侧向电流注入的VCSEL的研究十分活跃。如朗讯公司，用低压MOCVD，在〈100〉GaAs衬底上生长的激光结构，其多量子阱应力补偿层含有3个InGaAs阱和GaAsP垒，50纳米厚的AlAs层位于作用区和高掺GaAs层之间，腔长仅为3个波长。用氧气法制作直径分别为4微米和50微米激活窗口，前者，Ith=1.5微米，输出几毫瓦；后者可输出250毫瓦，波长1微米。该激光器可用来泵浦光纤激光器；施乐公司正在研究高密度的VCSEL列阵，准备用于打印机。
(八)几种特殊性能的半导体激光器
单纵模半导体激光器F-P型激光器通常输出多纵模，光谱宽度dA较宽，约为几纳米，而且波长随温度变化，GaAIAs激光器的变化率约为3埃／度。折射率导引的条形LD有时也能产生单纵模，但不稳定，在电流或温度变化时，波长也会发生变化，或变成多纵模，或产生跳模。这些特性对某些应用是非常不利的。
为了获得稳定的单纵模、窄线宽光束，需要采用一些特殊的措施。例如，可用一块光栅作为外腔，将面对光栅的LD端面镀成增透膜，由LD另一端面和光栅构成谐振腔，这时，激光器的输出波长由光栅决定，旋转光栅还可获得不同的波长，这种可调谐的半导体激光器用途很广，以后还会提到。除了采用光栅外腔以外，还可采用光纤光栅，这种含有光纤光栅的单频激光器在大容量通信系统，特别是采用WDM或DWDM的通信系统中应用很广。
为了获得单片、稳定、紧凑的单纵模激光器，可将光栅做在半导体激光芯片中。如将光栅做在DH激光器或分别限制LD的作用层或限制层，构成分布反馈(DFB)激光器。
同普通的F-P型激光器相比，DFB激光器纵模稳定，而且，能与其他光电子元件一起构成光集成回路。如GaAlAs DFB激光器的波长随温度的变化率仅为0.5埃／度量级。DFB激光器不需要端面反射镜，因而可同其他光电子元件一起做在一块基片上，构成光集成回路。DFB激光器的结构也有多种，最初研制的DFB激光器是将光栅做在作用层和限制层的交界面。这种器件，由于光栅的作用，振荡的纵模必须满足布拉格条件：λ=2Λn／m。式中λ为激光波长，Λ为光栅周期，n为作用区材料的折射率，m为光栅衍射级数。偏离布拉格条件的波长，由于阈值增高均不能振荡。但是，由于光栅附近有较多的非辐射复合中心，因而损耗很大，故很难在室温实现连续受激。为了解决这一问题，人们利用分别限制结构，将光栅做在远离作用区的波导层内。在这种情况下，光栅附近的非辐射复合中心并不影响作用区内的电子-空穴复合和产生光子，从而使阈值大大下降。同时，处在波导区的光栅对光场仍起作用，因而振荡的纵模仍然受到布拉格条件约束，只有满足布拉格条件的波长才能受激。DFB激光器的谐振腔较长，因为光波的反射系数是靠光栅中每一条反射所积累的。光栅越长，反射系数越大，阈值电流密度越低。但腔长也不宜太长，否则工作电流将会增大。此外，在DFB激光器的一个端面，通常留有一段非泵浦区，以抑制端面反射的影响。典型的、可在室温连续运转的GaAIAs，分别限制、台面条形DFB激光器，作用区长500微米，非泵浦区长2毫米，三级光栅的周期为0.3814微米。DFB激光器有时也会产生两个纵模，为了确保单纵模运转，通常还需要采用变周期光栅、变条宽技术等。DFB激光器用途很广，主要用于相干光通信、光缆电视(CATV)、光信息处理、光学传感器、光学测量等领域。
为实现单纵模运转，也可将光栅做在谐振腔的外面，构成分布布拉格反射(DBR)激光器，光栅做在谐振腔外面的波导层上，作为谐振腔的一个反射镜。另一反射镜仍可采用自然解理面(也可将光栅做在谐振腔的两端)。DBR激光器的特点是，既具有DFB激光器的优点，即有利于构成光集成回路和单纵模稳定运转，又能使由于光栅界面非辐射中心所引起的光损耗大大减小。位于谐振腔端面的光栅，相当于多层反射镜，必须有足够的光栅长度，才能达到普通解理面所具有的反射率。
多波长半导体激光器。在一个芯片中能同时发射几种不同波长的LD，称多波长半导体激光器。实现单片集成多波长激光器的方案有如下几种：(a)采用同一个用用区，用具有不同周期的DFB或DBR结构来选择波长，然后将不同波长的光耦合到一个波导中去；或采用具有相同周期的DFB，令条宽不同，使腔的折射率不同，从而使发射的波长不同；(b)采用带隙不同的作用区。可用多次延技术在垂直于或平行于pn结的方向上形成两个或多个带隙不同的作用区；(c)采用不同厚度的量子阱。用MOCVD晶体生长技术依次制作阱厚不同的单量子阱，阱厚不同，受激辐射的能级间距不同，发射的波长也不同。如用这种方法可制成GaAlAs／GaAs多波长半导体激光器列阵(内含4个10条形的锁相列阵)，采用GRIN-SCH-SQW通用结构，量子阱厚度分别为7.4，8.5，11.3和13.6纳米，可发射如下4种波长：
812，819，823和832纳米。
1996年，NEC演示了世界上最高容量的光通信系统：
采用WDM技术和120千米单模光纤，每通道速率为凹吉比特／秒，共有132个通道。但该系统在实用之前，还有许多困难需要克服。困难之一就是制作多波长光源，为此，他们正在大力发展在同一衬底上制作不同波长LD的技术，以满足WDM的需要。理想的多波长器件应具有如下特点：在芯片上所有LD的性能应该均匀，波长应与掺饵光纤放大器的增益带宽(1530～1560纳米)匹配。
DFB激光器的波长控制是通过控制光栅周期来实现的，改变光栅周期，便可改变输出波长。但普通的电子束蚀刻技术，一次只能使光栅周期改变2.5纳米，这意味着，用这种机器制作光栅，在同一衬底上，只能制作特性相同的激光器。现在，NEC发展了一种新的蚀刻技术，可使光栅周期一次只变化0.01纳米。最近，采用该技术，在单片Inp衬底上产生了40个不同波长的器件。波长范围为75纳米，激光特点均匀，不管波长如何，阈电流均为9毫安。
精确地控制电子束蚀刻的光栅周期和通过选择MOCVD技术控制禁带宽度，可以减少WDM光源的价格，促进大容量、多媒体WDM通信系统快速发展。
可调谐半导体激光器。波长或频率连续可调的LD，称为可调谐半导体激光器。这种激光器主要用于相干光通信系统和光学测量系统，如频分复用、相干接收系统中的本机振荡器等。这类应用对可调谐半导体激光器的基本要求是单频、窄线宽、调谐方便、调谐范围大等。可调谐LD可分为单片可调谐LD和混合可调谐LD两类。混合可调谐LD有光栅外腔型、复合腔(C3激光器)型等几种。混合可调谐LD的特点是：线宽较窄、调谐范围较大，但体积较大，有的还需要机械转动。近年来，人们还在集中研究单片可调谐LD。
为满足单频和窄线宽的要求，单片可调谐半导体激光器一般都选用含量子阱的。DFB激光器或DBR激光器。根据调制原理不同，单片可调谐半导体激光器可分为如下三类：(a)基于DBR激光器的可调谐LD；(b)基于DFB激光器的可调谐半导体激光器；(c)双波导可调谐(TTG)半导体激光器。
DBR LD的可调谐半导体激光器的输出波长在较大范围内，实现准连续调谐。如果采用适当措施，可实现连续调谐范围4.5纳米。与DBR LD的可调谐半导体激光器相比，TTG可调谐半导体激光器连续调谐的范围较大，达7纳米，只需一个控制电流，调谐效率高，在低电流时，达1纳米／毫安125吉赫／毫安(GHz／mA)，为多段DBR LD的3至6倍。
有关这些可调谐半导体激光器的详细结构和基本原理太专业了，感兴趣的读者请参阅专业文献。
